Infineon BFP193WH6327XTSA1

BFP193W Series 12 V 80 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-343
$ 0.122
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BFP193WH6327XTSA1 herunter.

TME

Datasheet6 SeitenVor 12 Jahren

IHS

_legacy Avnet

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-1.01%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon BFP193WH6327XTSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-09-04
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 days ago)

Verwandte Teile

NXP SemiconductorsBFU550XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
NXP SemiconductorsBFU520XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiBC848BMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsBFU520XRVL
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BFP193WH6327XTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

BFP193W Series 12 V 80 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-343
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-343; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:8GHz; Power Dissipation Pd:580mW; DC Collector Current:80mA; DC Current Gain hFE:70hFE; RF
Transistor Polarity = NPN / Continuous Collector Current (Ic) mA = 80 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 12 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 8 / Power Dissipation (Pd) mW = 580 / Package Type = SOT-343 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101
RF TRANSISTOR, NPN, SOT-343; Transistor Type:RF Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:12V; Continuous Collector Current Ic:80mA; ft, Typ:8GHz; Case Style:SOT-343; Power Dissipation Pd:580mW; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Associated Gain Ga:20.5dB; Noise:1dB; Test Frequency:900MHz; Transistors, No. of:1; ft, Min:6000MHz; Current Ic @ Gms:30mA; Current Ic Continuous a Max:0.05A; Current Ic Fc Measurement:10mA; Current Ic Max:0.05A; Current Ic av:80mA; Current Ic hFE:30mA; Gms:13dB; Min Hfe:50; Noise Level, Fc @ Ic:2.1dB; Power, Ptot:580mW; SMD Marking:RCs; Voltage, Vcbo:20V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BFP 193W H6327
  • BFP193W
  • BFP193W H6327
  • BFP193WH6327
  • SP000745248