Infineon BCR112E6327HTSA1
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EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BCR112E6327HTSA1 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BCR112E6327HTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BCR112E6327HTSA1 | 0 | 39K | 11h | ||||||||
| Arrow Electronics | BCR112E6327HTSA1 | 0 | 39K | |||||||||
| Farnell | BCR112E6327HTSA1 | 0 | 5 | Cut Tape | 8h |
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-12-31
Verwandte Teile
onsemiKSC1623LMTF
KSC Series NPN 200 mW 50 V 100 mA Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-23
onsemiKSC1623OMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC847B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC846B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC847C-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
ROHM2SCR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SCR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BCR112E6327HTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR112E6327
BCR112 Series NPN 50 V 100 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-23-3
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Rf Trans, Npn, 50V, 0.1A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BCR112E6327HTSA1
NPN SILICON DIGITAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DIGITAL TRANS, 50V, 4.7K/4.7K, SOT-23-3; Transistor Polarity:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:-; DC Current Gain hFE:-; Transistor Case St
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min20
Input Resistance4.7 kΩ
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency140 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen