Infineon BC859CE6327HTSA1

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
$ 0.022
EOL
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Rochester Electronics
2
BC859CE6327HTSA1410.460
1h
DigiKeyBC859CE6327HTSA1CT-ND111Cut Tape
Future Electronics
2
BC859CE6327HTSA103KTape & Reel
AvnetBC859CE6327HTSA1045K
1d
Arrow ElectronicsBC859CE6327HTSA1045K

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BC859CE6327HTSA1 herunter.

IHS

Datasheet11 SeitenVor 14 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 0 Jahren

_legacy Avnet

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-0.01%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon BC859CE6327HTSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1984-10-10
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-10-15
LTD Date2016-10-15

Verwandte Teile

Diodes Inc.BC858A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Details
onsemiBC859BMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Details
onsemiBC858BMTF
BC858 Series 30 V CE Breakdown .1 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Details
onsemiBCW61BMTF
BCW61 Series 32 V CE Breakdown 0.1 A PNP General Purpose Transistor - SOT-23
Details
onsemiKST4126MTF
Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 200mA 250MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3
Details
onsemiKST64MTF
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30V 500mA 125MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BC859CE6327HTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Semicontronic
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Verical
PNP Bipolar Transistor, SOT23, RoHS
Infineon SCT
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 30 / DC Current Gain (hFE) = 420 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 30 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 250 / Power Dissipation (Pd) mW = 330 / Package Type = SC-59 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 650 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 850
Distrelec

Bilder

TME
Distrelec
Conrad
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BC 859C E6327
  • BC859-C
  • BC859C
  • BC859C E6327
  • BC859CE6327
  • SP000010637