Infineon AUIRLR024N
$ 0.698
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.01%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon AUIRLR024N Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-01-31
LTD Date2021-07-31
Verwandte Teile
InfineonIRLR024NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
InfineonIRLR024NTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
InfineonIRLR024NTRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
onsemiHUFA76409D3S
17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRLR024N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Single N-Channel 55 V 65 mOhm 15 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET,W DIODE,N CH,55V,17A,DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:45W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:16V
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.01%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance480 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance65 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation45 W
Rds On Max65 mΩ
Rise Time74 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time7.1 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen