Infineon AUIRFS8407
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Stock
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Authorized Distributors
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
Threshold Voltage
3 V
-
Rds On Max
1.8 mΩ
1.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
230 W
230 W
Input Capacitance
7.33 nF
7.33 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
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40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFS8407, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
INFINEON AUIRFS8407 MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3 V
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
MOSFET, 40V, 195A, Q101, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:230W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Battery Switch; Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; DC-DC; Electric Power Steering; Glowplug; PTC Heater; Relay Replacement
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time53 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.33 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.8 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max1.8 mΩ
Rise Time70 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time78 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen