Infineon AUIRFS6535TRL
$ 1.891
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRFS6535TRL | 400 | 32m | |||||||||
| Avnet | AUIRFS6535TRL | 0 | 800 | 3h | ||||||||
| Arrow Electronics | AUIRFS6535TRL | 0 | 800 | |||||||||
| Mouser | 942-AUIRFS6535TRL | 366 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | AUIRFS6535TRL | 1.787 | 600 | Tray | 19h |
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Mexico, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB17N25S3100ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 17 A, 100 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
VishayIRF644STRLPBF
3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 68nC@ 10 V 1N 250V 280m¦¸@ 8.4A,10V 14A 1.3nF@25V D2PAK,TO-263
VishayIRF644STRRPBF
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Tc 14A 3.1W 49ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFS6535TRL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TAPE AND REEL / Automotive MOSFET G10.7, 300V, 185mOhm, 38nC, 19A, D2PAK
MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK / N-Channel 300 V 19A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Automotive Q101 300V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 300V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Piezo Injection
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance148 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.34 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance185 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation210 W
Rds On Max185 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen