Infineon AUIRFS4610
$ 15.2
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 15.2
$ 1.565
$ 1.565
Stock
41,444
702,776
702,776
Authorized Distributors
1
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
73 A
73 A
73 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
4 V
Rds On Max
14 mΩ
14 mΩ
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
190 W
190 W
190 W
Input Capacitance
3.55 nF
3.55 nF
3.55 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
Verwandte Teile
InfineonAUIRF3710ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
onsemiHUF75645S3S
75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFS4610, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
MOSFET N-Channel 100V 73A HEXFET D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,N CH,100V,73A,D2PAK; Continuous Drain Current Id:73A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:190W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:190W; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)73 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.55 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation190 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time87 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width11.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen