Renesas 2SJ352

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
IC Components Ltd.2SJ3521.900
19h
SHENGYU ELECTRONICS2SJ3526.2151
3d
Run Hong Electronics2SJ3525.294
7h
YIC International2SJ3522.200
19h
Elcom Components2SJ352642
9h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 25 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

_legacy Avnet

B+D Enterprises

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-08-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Renesas 2SJ352, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
8 A 200 V P-CHANNEL Si POWER MOSFET
Component Stockers USA
2SJ352 HITACHI TO-3P
IC Components Ltd.

Bilder

B+D Enterprises
B+D Enterprises
UTSource

Aliasnamen des Herstellers

Renesas verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Renesas ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M