GeneSiC Semiconductor MBR12020CTR
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Lieferkette
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.0080
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von GeneSiC Semiconductor MBR12020CTR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
20V 120A Twin Tower Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 60A, 20V V(RRM), Silicon
Schottky Rectifier, 20V, 120A, Twin Tower; Repetitive Peak Reverse Voltage:20V; Average Forward Current:60A; Forward Voltage Max:650Mv; Diode Module Configuration:Single; Diode Case Style:Module; No. Of Pins:2Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Genesic Semiconductor MBR12020CTR
DIODE, RECTIF, 20V, 120A, TWIN TOWER; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:20V; Forward Current If(AV):60A; Forward Voltage VF Max:650mV; Forward Surge Current Ifsm Max:800A; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:175°C; Diode Case Style:Twin Tower; No. of Pins:2; MSL:-; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C
Aliasnamen des Herstellers
GeneSiC Semiconductor verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. GeneSiC Semiconductor ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageModule
MountChassis Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Average Rectified Current120 A
Element ConfigurationCommon Anode
Forward Current60 A
Forward Voltage700 mV
Max Forward Surge Current (Ifsm)800 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current60 A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)20 V
Max Reverse Leakage Current1 µA
Max Reverse Voltage (DC)20 V
Max Surge Current800 A
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Peak Reverse Current1 mA
Reverse Standoff Voltage20 V
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