GaN Systems GS61008T-MR
$ 4.51
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | GS61008T-MR | 0 | 250 | |||||||||
| Component Stockers USA | GS61008T-MR | 3.746 | >1wk | |||||||||
| XScomponents | GS61008T-MR | 0 | 3K | 5h |
Datenblätter und Dokumente
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
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Beschreibungen
Beschreibungen von GaN Systems GS61008T-MR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Gallium Nitride, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
GaN Systems verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. GaN Systems ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- GAN SYSTEMS INC
- GaNPower
- GaN Systems / Infineon
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Dimensions
Height621 µm
Datenblätter und Dokumente
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