Fuji 7MBR50VB-120-50
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-12-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Fuji 7MBR50VB-120-50, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IC DIVIDER BY 2 24-BIT 16DIP
IGBT MODULE, 1.2KV, 50A
IGBT MODULE, 1.2KV, 50A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:280W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module; RoHS Compliant: Yes
IGBT MODULE, 1.2KV, 50A; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.85V; Power Dissipation Pd: 280W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: Module; No. of Pins: 24Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Current Ic @ Vce Sat: 75A; Current Ic Continuous a Max: 75A; Current Temperature: 25°C; External Depth: 62mm; External Length / Height: 20mm; External Width: 122mm; Fall Time tf: 450ns; Full Power Rating Temperature: 25°C; Isolation Voltage: 2.5kV; Junction Temperature Tj Max: 150°C; Module Configuration: Seven; No. of Transistors: 7; Power Dissipation Max: 360W; Pulsed Current Icm: 150A; Rise Time: 350ns; Termination Type: Screw; Voltage Vces: 1.2kV
Aliasnamen des Herstellers
Fuji verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Fuji ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- FUJ
- FUJI ELECTRIC
- FUJIT
- FDK
- FUJI ELEC
- FUJI SEMI
- FME
- FUJI ELECT
- FUJI ELECTRONICS AME
- FUJI ELECTRI
- FUJI COM
- FJTSU
- FUJ-OKI
- FUJ/AMD
- FUJ/WDC
- FUJ/YE
- FUJI T&R
- FUJ/MO
- FUJI XERO
- FUJTSU
- Fuji Electric Corp of America
- Fuji/NEW
- Fuji Device Technology America
- FUJICORPORATION
- FUJIDENKI
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageModule
Number of Pins24
Number of Terminals24
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.65 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Fall Time300 ns
Isolation Voltage2500 Vrms
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation280 W
Number of Elements7
Rise Time600 ns
Dimensions
Width122 mm
Datenblätter und Dokumente
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