onsemi SI3455DV
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Obsolete
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$ 0.214
Stock
7,974
10,756,213
Authorized Distributors
1
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
-
SOT-23-6
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
3.6 A
3.6 A
Threshold Voltage
-
-1.9 V
Rds On Max
-
75 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.6 W
800 mW
Input Capacitance
-
298 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2007-04-06
LTD Date2007-10-06
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SI3455DV, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-CHANNEL MOSFET / P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
P-Ch MOSFET 30V 3.6A 75mΩ@10V 20V 3.6nC@5V 298pF@15V SSOT-6 SMD, Adhesive Mount 2.9mm × 1.6mm × 1.1mm
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time11 ns
Datenblätter und Dokumente
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