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Verwandte Teile
InfineonIRLI520NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.18Ohm;ID 8.1A;TO-220 Full-Pak;PD 30W
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF8P10, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 100V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
28W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 15nC@ 10V 1P 100V 530m¦¸@ 2.65A,10V 470pF@25V TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 100V P-Channel QFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.3 A
Current Rating-5.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance530 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance470 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation28 W
Rds On Max530 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen