Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | FQP7N80 | 130 | 150 | Tube | 1d | |||||||
| Win Source | WS-FQP7N80 | 5.520 | 75 | 23h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQP7N80 | 7.248 | 7 | Tube | 21h | |||||||
| Anlinkda | FQP7N80 | 22.541 | 21h | |||||||||
| RC Electronics | FQP7N80 | 20.241 | 1 | 2d |
Datenblätter und Dokumente
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQP7N80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
800V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.85 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation167 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time80 ns
Turn-Off Delay Time95 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height20.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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