onsemi FQP6N50
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
onsemiFDPF8N50NZU
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, Ultra FRFETTM, 500 V, 6.5 A, 1.2 Ω, TO-220F
STMicroelectronicsSTP6NK60ZFP
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQP6N50, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 5.5 A, 1.3 ohm, TO-220, Through Hole
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 500V N-Channel QFET
MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.5A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 1.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 98
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Current Rating5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance790 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation98 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation98 W
Rds On Max1.3 Ω
Rise Time65 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Datenblätter und Dokumente
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