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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP12NK80Z
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTW12NK80Z
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW15NK90Z
N-CHANNEL 900V - 0.40͐2;6; - 15A - TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQA13N80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
800V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
800V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:12.6A; Resistance, Rds On:0.75ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-3P; Current, Idm Pulse:50.4A; No. of Pins:3; Power Dissipation:300W; Power, Pd:300W; Power, Ptot:300W; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:800V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.6 A
Current Rating12.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max750 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time155 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Datenblätter und Dokumente
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