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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-01-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
VishaySI4830CDY-T1-GE3
Si4830CDY Series Dual N-Channel 30 V 20 mOhm 2.9 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDS4885C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, NP, SO-8; Transistor type:Enhancement; Voltage, Vds typ:40V; Current, Id cont:7.5A; Resistance, Rds on:31mohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:4V; Case style:SOIC; Current, Id cont N RoHS Compliant: Yes
MOSFET, DUAL, NP, SO-8; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 7.5A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dis
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Current Rating7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance900 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time71 ns
Datenblätter und Dokumente
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