onsemi FDP8876
$ 0.329
Obsolete
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0 Teile verfügbar
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDP8876, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
RAIL / 30V,71A,8.5 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB
30V N-Channel PowerTrench® MOSFET
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)64 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max8.7 mΩ
Rise Time97 ns
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen