onsemi BC548BBU
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Obsolete
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Price @ 1000
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$ 0.061
$ 0.061
Stock
76,949
529,455
529,455
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
500 mW
625 mW
625 mW
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-12-03
LTD Date2011-06-03
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC548BBU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 2mA 5V 15nA ICBO 500mW 300MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Compliant Through Hole 178.2 mg 110 NPN 300 MHz Lead Free Bulk
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight178.2 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min200
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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