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Verwandte Teile
onsemiHUF76629D3S
20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
onsemiHUFA75623S3ST
85W(Tc) 4V@ 250µA 52nC@ 20V 1individualNChannel 100V 64mΩ@ 22A,10V 790pF@25V D2PAK SMD mount
Diodes Inc.DMT10H015LFG-7
PDI-33338 N-Ch MOSFET, 100V, 10A/42A, 13.5mΩ@20A,10V, 2W(Ta)/35W(Tc), SMD, 3.3mm × 3.3mm × 800μm
InfineonAUIRFR3710ZTRL
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von EPC EPC2016C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Field Effect Tube (MOSFET)
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Aliasnamen des Herstellers
EPC verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. EPC ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- EPC Space LLC
- EPC Space
- EPC (VA)
- EFFICIENT POWER CONVERSION
- EPC Semiconductor
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance420 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Rds On Max16 mΩ
Dimensions
Height815 µm
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