Diotec MMFTP3401
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code85412100
Introduction Date2019-09-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diotec MMFTP3401, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Diotec Semiconductors P-channel MOSFET, -30 V, -4 A, SOT-23, MMFTP3401
MOSFET, SOT-23, P, -30V, -4A, 65mΩ, 150°C
Mosfet, P-Channel, 30V, 3A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diotec MMFTP3401
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
Transistor Polarity = P-Channel / Continuous Drain Current (Id) A = 4 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 65 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 7 / Rise Time ns = 3.2 / Turn-OFF Delay Time ns = 38 / Turn-ON Delay Time ns = 6.3 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-3 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 1
Aliasnamen des Herstellers
Diotec verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diotec ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diotec Semiconductor
- DIOTEC ELECTRONICS CORP
- DIOTEC SEMI
- DIOTECH
- DIOTEC ELECTRONICS C
- Diotec Semiconductors
- DIOTEC Electronics Corporation
- Diotec Elektronische
- Diotec Gmbh
- DIOTEC (SEMIKRON)
- DIOTEC ELECTRONISCHE BAUELEMENTE GMBH
- DIOTEC SEM
- Diotec/TSC/Vishay
- Diotec -RoHS-
- Diotec/STM/TSC/Vishay
- ALLIED ELECTRONIC & SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INC
- Diotech Electronics Corporation
- SEMIKRON INTERNATIONAL
- DIOTEC T/R
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -55.86%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Number of Terminals3
Weight39 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation500 mW
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time6.3 ns
Dimensions
Height1.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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