Diodes Inc. ZXTP03200BZTA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.2DB1188R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SB1188T100Q
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1188T100R
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1188T100P
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTP03200BZTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Transistor PNP Surface Mount SOT-89-3 1.1W 2A 200V
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic 160mV Vce 2.4W
Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans, Pnp, 200V, 2A, 150Deg C, 2.4W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTP03200BZTA
260mV@ 400mA,2A PNP 38.7W 7V 50nA 220V 200V 2A SOT-89-3
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight130.492855 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)220 V
Collector Emitter Breakdown Voltage200 V
Collector Emitter Saturation Voltage260 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)200 V
Continuous Collector Current2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Gain Bandwidth Product105 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage200 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38.7 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Transition Frequency105 MHz
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen