Diodes Inc. 2DB1188Q-13
$ 0.189
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 2DB1188QDICT-ND | 1.765 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | 2DB1188Q-13 | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Future Electronics | 2DB1188Q-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | 2DB1188Q-13 | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| Arrow Electronics | 2DB1188Q-13 | 0 | 2500 |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.2DB1188R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SB1188T100P
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1132T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1132T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. 2DB1188Q-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2DB11 Series PNP 1 W 32 V 2 A Surface Mount Power Transistor - SOT-89
32V 1W 120@500mA,3V 2A PNP SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 32V 2A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
800mV@ 200mA,2A PNP 1W 6V 100nA 40V 32V 2A SOT-89-3 4.5mm*2.48mm*1.5mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage-800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency120 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.48 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen