Diodes Inc. ZXTN25040DZTA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.2DD2679-13
DIODES INC. 2DD2679-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 240 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
onsemi2SD1624S-TD-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP. ONSSPCDDENY1E7M;
ROHM2SD1664T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SD1664T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTN25040DZTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ZXTN25040DZ Series NPN 5 A 40 V SMT Medium Power Transistor - SOT-89-3
40V 2.4W 300@1A,2V 5A NPN SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS
Trans GP BJT NPN 40V 5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
General Purpose Transistors NPN Ic=5A Vceo=40V hfe=300~900 P=2.4W SOT89-3
Trans, Npn, 40V, 5A, 150Deg C, 2.4W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTN25040DZTA
260mV@ 500mA,5A NPN 4.46W 7V 50nA 130V 40V 5A SOT-89-3 1.6mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)130 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency190 MHz
Gain Bandwidth Product190 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.46 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation4.46 W
Transition Frequency190 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen