Diodes Inc. ZXTN25012EFLTA
$ 0.243
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXTN25012EFLTA | 42.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | ZXTN25012EFLTA | 1.495 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXTN25012EFLTA | 42.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXTN25012EFLTA | 3.000 | 372 | |||||||||
| DigiKey | ZXTN25012EFLCT-ND | 4.356 | 1 | Cut Tape |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXTN25015DFHTA
Single Bipolar Transistor, NPN, 30 V, 5 A, 1.81 W, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTN25012EFLTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single Bipolar Transistor, NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
ZXTN25012EFL Series 12 V 2 A NPN SMT Low Power Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
General Purpose Transistors NPN Ic=2A Vceo=12V hfe=500~1500 P=350mW SOT23
NPN TRANSISTOR 12V 2A SOT23 RoHSconf
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:800; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:130mV; Continuous Collector Current Ic Max:2A; Current Ib:500mA; Current Ic Continuous a Max:5A; Current Ic hFE:2A; Gain Bandwidth ft Typ:260MHz; Hfe Min:370; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; Termination Type:SMD; Turn Off Time:72ns; Turn On Time:70ns; Voltage Vcbo:20V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency260 MHz
Gain Bandwidth Product260 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency260 MHz
Dimensions
Height1.02 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen