Diodes Inc. ZXTN19100CFFTA

Trans Gp Bjt NPN 100V 4.5A 16000MW 3-PIN SOT-23F T/r / Trans NPN 100V 4.5A SOT23F-3
$ 0.333
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. ZXTN19100CFFTA herunter.

Newark

Datasheet7 SeitenVor 10 Jahren

IHS

Diodes Inc SCT

Future Electronics

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-45.40%

CAD-Modelle

Laden Sie Diodes Inc. ZXTN19100CFFTA Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.ZXTN25020CFHTA
Trans GP BJT NPN 20V 4.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R / TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-3
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3. ONSSPCDDENY1E7M;
Diodes Inc.ZXTN07045EFFTA
Trans GP BJT NPN 45V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R / TRANS NPN 45V 4A SOT23F-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN
Diodes Inc.ZXTN2018FTA
60V 1.2W 100@2A,1V 5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTN19100CFFTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 16000mW 3-Pin SOT-23F T/R / TRANS NPN 100V 4.5A SOT23F-3
1.5W 4.5A NPN 100V SOT-23F Bipolar Transistors - BJT ROHS
ZXTN19100CFF Series 100 V 4.5 A NPN SMT High Gain Power Transistor-SOT-23F
Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANSITOR, NPN, SOT-23F; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:4.5A; DC Current Gain hFE:350; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23F; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:235mV; Continuous Collector Current Ic Max:4.5A; Current Ic @ Vce Sat:4.5A; Current Ic Continuous a Max:4.5A; Current Ic hFE:1A; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:130; Package / Case:SOT-23F; Peak Current Icm:6A; Power Dissipation Pd:1.5W; Power Dissipation Ptot Max:1.5W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power Bipolar; Turn Off Time:133ns; Turn On Time:23.6ns; Voltage Vcbo:200V

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated