Diodes Inc. ZXTC6718MCTA
$ 0.384
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXTC6718MCTA | 6.000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | ZXTC6718MCTA | 2.617 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXTC6718MCTACT-ND | 2.053 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXTC6718MCTA | 0 | 1 | 17h | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXTC6718MCTA | 0 | 3K |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXTD718MCTA
Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.ZXTD618MCTA
Small Signal Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.ZXTP26020DMFTA
Small Signal Bipolar Transistor, 1.25A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTC6718MCTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Array, Npn, Pnp, 20V, 4.5A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTC6718MCTA
Small Signal Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
300mV@ 125mA,4.5A,300mV@ 350mA,3.5A NPN,PNP 2.45W 7V 100nA 40V@ NPN,25V@ PNP 20V 4.5A,3.5A DFN
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 5A/3.8A 3000mW 8-Pin DFN EP T/R
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 20 V, 20 V, 4.5 A, 3.5 A, 1.7 W, 1.7 W, 100 hFE, 15 hFE, W-DFN3020, 8 Pins
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-25 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage-225 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Continuous Collector Current3.8 A
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
Frequency140 MHz
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current4.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation3 W
Transition Frequency140 MHz
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen