Diodes Inc. ZXMN6A09GTA

Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 60 V, 6.9 A, 0.045 ohm, SOT-223, Surface Mount
$ 0.685
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
ZXMN6A09GTA1.2011Cut Tape
DigiKeyZXMN6A09GCT-ND2381Cut Tape
TME
2
ZXMN6A09GTA5991
14h
RS (Formerly Allied Electronics)ZXMN6A09GTA05Bulk
8h
AvnetZXMN6A09GTA01K
1d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. ZXMN6A09GTA herunter.

Newark

Datasheet8 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 22 Jahren

IHS

TME

Diodes Inc SCT

Future Electronics

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

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onsemiNDT014L
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 2.8A, 160mΩ
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N-Channel Logic Level Enahncement Mode Field Effect Transistor 60V, 4A, 100mΩ
Details
onsemiNDT3055
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 4A, 100mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN6A09GTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 60 V, 6.9 A, 0.045 ohm, SOT-223, Surface Mount
Avnet Silica
N-Channel 60 V 0.04 Ohm Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
Future Electronics
N CHANNEL MOSFET, 60V, 6.9A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:6.9A; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:3.9W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:7.5A; Current Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:45mohm; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:3.9W; Power Dissipation Ptot Max:2W; Pulse Current Idm:30.6A; SMD Marking:ZXMN6A09; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1V
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Bilder

RS
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Future Electronics
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Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated