Diodes Inc. ZXMN2AMCTA
$ 1.68
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. ZXMN2AMCTA herunter.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN2AMCTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 20V 3.7A 8-Pin DFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SM8 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.5 W
1.5W 12V 3V@ 250¦ÌA 3.1nC@ 4.5V 2individualNChannel 20V 120m¦¸@ 4A,4.5V 2.9A 299pF@15V DFN-3020-B-8 SMD mount
N-CH 20V 3,7A 120mOhm DFN3020-8
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time1.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance299 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.45 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.45 W
Rds On Max120 mΩ
Rise Time2.6 ns
Turn-Off Delay Time1.6 ns
Turn-On Delay Time2.3 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. ZXMN2AMCTA herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen