Diodes Inc. ZXMN2088DE6TA
$ 0.387
NRND
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXMN2088DE6TA | 9.000 | 3K | 3d | ||||||||
| TME | ZXMN2088DE6T-DIO-0 | 3.000 | 3K | 19h | ||||||||
| Future Electronics | ZXMN2088DE6TA | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN2088DE6TA | 0 | 3K | |||||||||
| Win Source | WS-ZXMN2088DE6TA | 202.200 | 135 | 6h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN2088DE6TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 / Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R
1.3W 8V 1V@ 250¦ÌA 3.8nC@ 4.5V 2N 20V 200m¦¸@ 1A,4.5V 1.7A 279pF@10V SOT-23-6
MOSFET Array, Dual N Channel, 20 V, 2.1 A, 200 Milliohms, SOT-26, 6 Pins
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
20V, 2.1A, 200MOMH, DUAL N-CHANNEL, SOT26
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time6.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance279 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Rds On Max200 mΩ
Rise Time3.2 ns
Turn-Off Delay Time12.7 ns
Turn-On Delay Time2 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen