Diodes Inc. ZVNL120A

N-Channel 200 V 10 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET -TO-92
$ 0.416
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
DigiKeyZVNL120A-ND1.7781Bulk
TME
2
ZVNL120A2.1401
10h
RS (Formerly Allied Electronics)ZVNL120A05Bulk
11h
AvnetZVNL120A04K
2d
Arrow ElectronicsZVNL120A04K

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet3 SeitenVor 19 Jahren

IHS

Diodes Inc SCT

Future Electronics

iiiC

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.ZVP2110A
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92
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Diodes Inc.ZVP2110ASTZ
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line Box
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Diodes Inc.ZVN3310ASTZ
625mW(Ta) 20V 2.4V@1mA 1N 100V 10¦¸@ 500mA,10V 200mA 40pF@25V TO-92 , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
Details
onsemi2N7000-D75Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
Details
onsemi2N7000-D74Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
Details
onsemiBS170-D74Z
N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 500mA, 5Ω
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZVNL120A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 200 V 10 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET -TO-92
Future Electronics
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
Semicontronic
MOSFET, N, LOGIC, E-LINE; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):10ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation Pd:700mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:180mA; Current Temperature:25°C; Device Marking:ZVNL120A; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:1.27mm; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Ptot Max:700mW; Pulse Current Idm:2A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V
element14 APAC

Bilder

TME
RS (Formerly Allied Electronics)
LKR
reichelt
Future Electronics
reichelt
Newark
iiiC
Conrad

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • ZVNL120A.