Diodes Inc. ZUMT720TA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.MMST4403-7-F
40V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount Bipolar (BJT) Transistor, SOT-323
Diodes Inc.MMST4403-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA123YUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA113ZUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTA114EUA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZUMT720TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ZUMT720 Series 40 V 0.75 A Surface Mount PNP Silicon Power Transistor - SOT-323
Trans, Pnp, 40V, 0.75A, 150Deg C, 0.5W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZUMT720TA
Trans GP BJT PNP 40V 0.75A 500mW 3-Pin SOT-323 T/R
Bipolar Transistors - BJT PNP Super323
250mV@ 100mA,750mA PNP 500mW 5V 10nA 40V 40V 750mA SOT-323 2.2mm*1.26mm*1mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current-750 mA
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency220 MHz
Gain Bandwidth Product220 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current750 mA
Max Frequency220 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency220 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.26 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen