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Diodes Inc. ZTX851

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 1.09
EOL
Datenblatt
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Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet3 SeitenVor 19 Jahren
Datasheet3 SeitenVor 19 Jahren

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Diodes Inc SCT

Future Electronics

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.09
$ 0.741
Stock
592,914
495,901,345
Authorized Distributors
5
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-226-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
Max Collector Current
5 A
5 A
Transition Frequency
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
hFE Min
25
25
Power Dissipation
1.2 W
1.2 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-23
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28

Verwandte Teile

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Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 1 A, 1 W, E-Line, Through Hole
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 750mW 160MHz
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZTX851, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ZTX851 Series NPN 5 A 60 V Silicon Planar Medium Power Transistor - TO-92-3
TRANSISTOR NPN 60V 5000MA TO92-3
DiodesZetex NPN Transistor TO-92 TH 5A 60V
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ, ft:130MHz; Power Dissipation, Pd:1.2W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain Max (hfe):200 ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Continuous Collector Current Ic Max:5A; Current Ic @ Vce Sat:5A; Current Ic Continuous a Max:5A; Current Ic hFE:2A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:130MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Ptot Max:1.2W; Pulsed Current Icm:20A; Transistor Type:Power Bipolar; Voltage Vcbo:150V

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • ZTX851.