Diodes Inc. ZTX688B
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Stock
620,935
343,116
Authorized Distributors
4
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
12 V
12 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
350 mV
350 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
-
1 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZTX688BSTZ
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZTX688B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR | TRANS NPN 12V 3A E-LINE
Trans GP BJT NPN 12V 3A Automotive 3-Pin E-Line
TRANSISTOR, NPN, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:500; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; Collector Emitter Voltage Vces:350mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic @ Vce Sat:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:3A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:400; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:10A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:12V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)12 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage350 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current3 A
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1 W
Manufacturer Package IdentifierE-Line
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)12 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen