Diodes Inc. MMDT3946LP4-7
$ 0.259
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMDT3946LP4-7 | 159.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Verical | MMDT3946LP4-7 | 159.000 | 3K | |||||||||
| TME | MMDT3946LP4-7 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Future Electronics | MMDT3946LP4-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | MMDT3946LP4-7 | 0 | 3K |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
ROHMMMST3906T146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. MMDT3946LP4-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN and PNP, Silicon
MMDT39xx Series 40 V 200 mA Complementary NPN/PNP SMT Transistor - DFN-6
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 200mW 6-Pin DFN T/R
Complementary, 40V, 0.2A, DFN1310-6,300MHz
Diodes Inc SCT
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN, PNP
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height350 µm
Length1.3 mm
Width1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen