Diodes Inc. MMBTH24-7
Obsolete
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Datenblätter und Dokumente
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.033
Stock
275,817
185,563
Authorized Distributors
0
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
30 V
Max Collector Current
50 mA
50 mA
Transition Frequency
400 MHz
400 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
-
hFE Min
30
30
Power Dissipation
-
225 mW
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-05-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
ROHMDTC114ECAT116
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA
ROHMSST3904T116
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. MMBTH24-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3
Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current50 mA
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Gain Bandwidth Product400 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Transition Frequency400 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen