Diodes Inc. FZT493TA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. FZT493TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
100V 2W 100@250mA,10V 1A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 100V 1A SOT-223
FZT493 Series NPN 1 A 100 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-223
Bipolar Transistors (BJT); FZT493TA; DIODES; NPN; 100 V; 1 A; 4
600mV@ 100mA,1A NPN 3W 5V 100nA 120V 100V 1A SOT-223-3 6.5mm*3.5mm*1.65mm
General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=100V hfe=100~300 P=2W SOT223
NPN MEDIUM PWR TRANSISTOR,2A,100V, SOT223
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen