Diodes Inc. BCP56TA
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Stock
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10,606,768
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-223
SOT-223-4
SOT-223-4
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
150 MHz
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
25
40
40
Power Dissipation
2 W
1.5 W
1.5 W
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BCP56TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount
BCP56 Series 80 V 1 A 2 W SMT NPN Medium Power Transistor - SOT-223
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 80V 1A SOT223-4
NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
500mV@ 50mA,500mA NPN 2W 5V 100nA 100V 80V 1A SOT-223-3 6.5mm*3.5mm*1.55mm
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:1A; Power Dissipation:2W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Transition Frequency:150MHz RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.55 mm
Width3.55 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen