Diodes Inc. FMMT495TC
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3,633,986
3,633,986
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
150 V
150 V
150 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
100
10
10
Power Dissipation
-
500 mW
500 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Toshiba2SC2713-GRTE85LF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMSST3904T116
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. FMMT495TC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 150V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
300mV@ 50mA,500mA NPN 500mW 7V 100nA 170V 150V 1A SOT-23-3 3mm*1.4mm*1.1mm
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Trans, Npn, 150V, 1A, 150Deg C, 0.5W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. FMMT495TC
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)170 V
Collector Emitter Breakdown Voltage150 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)150 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen