Diodes Inc. FMMT494TA

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 120 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
$ 0.17
Production
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsFMMT494TA192192
VericalFMMT494TA192192
DigiKey
3
FMMT494CT-ND12.3381Cut Tape
TME
2
FMMT494TA01
19h
AvnetFMMT494TA03K
2d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 8 Jahren
Datasheet2 SeitenVor 28 Jahren

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Diodes Inc.FMMT494TA
Diodes Inc.FMMT494TC
Price @ 1000
$ 0.17
$ 0.196
Stock
283,684
822,819
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
120 V
120 V
Max Collector Current
1 A
1 A
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
hFE Min
20
20
Power Dissipation
500 mW
500 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details
onsemiFJV1845EMTF
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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. FMMT494TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 120 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
Avnet Silica
FMMT494 Series NPN 1 A 120 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-23
Future Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Semicontronic
Trans GP BJT NPN 120V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Verical
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Digi-ic_SMART PIONEER
300mV@ 50mA,500mA NPN 500mW 7V 100nA 140V 120V 1A SOT-23-3 1.12mm
UnikeyIC
TRANSISTOR, NPN, 120V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor C
element14 APAC
TRANSISTOR, NPN, 120V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V; Typ Gain Bandwidth ft:100MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; Case Style:SOT-23; Current Ib:0.2A; Current Ic hFE:1A; Max Current Ic:1A; Max Current Ic Continuous a:500mA; Max Power Dissipation Ptot:0.5W; Max Voltage Vce Sat:0.3V; Min Hfe:20; Power Dissipation:500mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bipolar; Voltage Vcbo:140V
Farnell

Bilder

RS
RS (Formerly Allied Electronics)
Distrelec
Future Electronics
TME
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated