Diodes Inc. DXT2014P5-13
$ 0.29
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DXT2014P5-13CT-ND | 9.299 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DXT2014P5-13 | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Avnet | DXT2014P5-13 | 0 | 5K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DXT2014P5-13 | 0 | 5K | |||||||||
| Farnell | DXT2014P5-13 | 0 | 1 | Cut Tape | 22h |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DPLS4140E-13
TRANS PNP 140V 4A SOT-223 / Trans GP BJT PNP 140V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Diodes Inc.DXT2013P5-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DXT2014P5-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252
DXT201 Series PNP 3.2 W 140 V 4 A Surface Mount Power Transistor - POWERDI-5
Transistor, Pnp, -140V, -4A, 3.2W, Powerdi5
Trans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
360mV@ 300mA,3A PNP 3.2W 7V 20nA 180V 140V 4A PDI-5 3.97mm*5.37mm*1.1mm
TRANS, PNP, 140V, 4A, POWERDI5; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-140V; Transition Frequency Typ ft:120MHz; Power Dissipation Pd:3.2W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:225; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerDI5; No. of Pins:3; Gain Bandwidth ft Typ:120MHz
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight95.991485 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage140 V
Collector Emitter Saturation Voltage-360 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V
Continuous Collector Current-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min45
Max Breakdown Voltage140 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.2 W
Manufacturer Package IdentifierPOWERDI-5
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation3.2 W
Transition Frequency120 MHz
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen