Diodes Inc. DP0150BLP4-7
$ 0.186
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DP0150BLP4-7 | 255.000 | 3K | 11h | ||||||||
| Verical | DP0150BLP4-7 | 255.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | DP0150BLP4-7DICT-ND | 6.266 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DP0150BLP4-7 | 0 | 1 | 42m | ||||||||
| Future Electronics | DP0150BLP4-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.2DC4617QLP-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC857BLP4-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.2DA1774QLP-7B
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DP0150BLP4-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
DN0150 Series 50 V 100 mA 450 mW NPN Small Signal Transistor - DFN1006
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.1A 3-PIN SMT
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R
300mV@ 10mA,100mA NPN 1W 5V 100nA 50V 50V 100mA DFN 1mm*600¦Ìm*350¦Ìm
Dual PNP, 50V, 0.1A, SOT963,80MHz
Diodes Inc SCT
TRANS PNP 50V 0.1A X2-DFN1006-3
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product80 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation450 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation400 mW
Transition Frequency80 MHz
Dimensions
Height400 µm
Length1 mm
Width600 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen