Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13
$ 1.11
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMTH6004SCTB-13 | 733 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMTH6004SCTB-13 | 21.600 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMTH6004SCTB-13DICT-ND | 758 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMTH6004SCTB-13 | 0 | 800 | 5h | ||||||||
| Avnet | DMTH6004SCTB-13 | 0 | 800 | 9h |
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Verwandte Teile
InfineonIPB120N06S403ATMA2
60V, N-Ch, 2.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
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InfineonAUIRFS3306TRL
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH140N6F7-2
N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-263Ab Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET Enh Mode FET 41V to 60V TO263
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance3.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance4.556 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3.4 mΩ
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