Diodes Inc. DMT6009LCT
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-05-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP45N06S409AKSA2
60V, N-Ch, 9.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIRFIZ24EPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMT6009LCT, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 37.2 A, 12 Milliohms, TO-220AB, 3 Pins, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB / 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 37.2A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)37.2 A
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance1.925 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max12 mΩ
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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