Diodes Inc. DMP56D0UFB-7
$ 0.136
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMP56D0UFB-7 | 54.000 | 3K | 5d | ||||||||
| Newark | DMP56D0UFB-7 | 3.000 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMP56D0UFB-7 | 63.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMP56D0UFB-7 | 33.000 | 755 | |||||||||
| DigiKey | DMP56D0UFB-7DICT-ND | 3.649 | 1 | Cut Tape |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP21D5UFB4-7B
Mosfet, P-Ch, 20V, 0.7A, X2-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP21D5UFB4-7B
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMP56D0UFB-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 50 V 6 Ohm 425 mW Enhancement Mode Mosfet - X1-DFN1006-3
Power MOSFET, P Channel, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Surface Mount
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 50V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
Trans MOSFET P-CH 50V 0.2A 3-Pin X1-DFN T/R
Mosfet Bvdss: 41V~60V X1-Dfn1006-3 T&r 3K
425mW(Ta) 8V 1.2V@ 250¦ÌA 0.58nC@ 4 V 1P 50V 6¦¸@ 100mA,4V 200mA 50.54pF@25V DFN 1.08mm*675¦Ìm*480¦Ìm
MOSFET P-CH 50V 0.2A ENHANC. X-DFN1006-3
XSTR MOSFET P-CHANNEL 50V 200MA RDS
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Resistance8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance50.54 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation425 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max6 Ω
Rise Time6.63 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time21.9 ns
Turn-On Delay Time4.46 ns
Dimensions
Height480 µm
Length1.08 mm
Width675 µm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen