Diodes Inc. DMP2130L-7
$ 0.181
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP2130L-7 | 925 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP2130L-7 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Verical | DMP2130L-7 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | DMP2130L-7 | 12.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMP2130LDICT-ND | 13.233 | 1 | Cut Tape |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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VishaySI2302CDS-T1-E3
MOSFET, N CH, 20V, 2.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMP2130L-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 20 V 75 mOhm 7.3 nC Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Surface Mount
Mosfet, P-Ch, 20V, 3A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2130L-7
1.4W(Ta) 12V 1.25V@ 250¦ÌA 7.3nC@ 4.5 V 1P 20V 75m¦¸@ 3.5A,4.5V 3A 443pF@16V SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*1.03mm
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance443 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max75 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen