Diodes Inc. DMNH6021SK3Q-13
$ 0.398
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMNH6021SK3Q-13 | 662 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMNH6021SK3Q-13DICT-ND | 3.012 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMNH6021SK3Q-13 | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| Avnet | DMNH6021SK3Q-13 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMNH6021SK3Q-13 | 0 | 2500 |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMC3021LK4-13
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 30V, 14A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC3021LK4-13
Diodes Inc.DMC4029SK4-13
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel/P-Channel 40V 11.8A/8.6A 4-Pin TO-252 T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMNH6021SK3Q-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMNH6021SK3Q-13
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
2.1W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 20.1nC@ 10 V 1N 60V 23m¦¸@ 12A,10V 50A 1.143nF@25V TO-252-3
60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K
MOSFET, N-CH, 60V, 50A, TO-252;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-5
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance1.143 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max23 mΩ
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