Diodes Inc. DMN67D8LW-13
$ 0.052
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DMN67D8LW-13DICT-ND | 208.069 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN67D8LW-13 | 40.000 | 10K | |||||||||
| Verical | DMN67D8LW-13 | 40.000 | 10K | |||||||||
| TME | DMN67D8LW-13 | 0 | 10K | 16h | ||||||||
| Avnet | DMN67D8LW-13 | 0 | 10K | 1d |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN67D8LW-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
DMN67D8LW Series 60 240 mA N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-323
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 0.24A, 60V; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage Vds: 60V; Continuous Drain Current Id: 240mA; On Resistance Rds(on): 1.5ohm; Transistor Mounting: Surface Mount; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 mA
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance22 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation470 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max5 Ω
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