Diodes Inc. DMN6066SSD-13
$ 0.366
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN6066SSD-13 | 2.881 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN6066SSD-13 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| Verical | DMN6066SSD-13 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMN6066SSD-13CT-ND | 5.364 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN6066SSD-13 | 0 | 2500 | 8h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMP6A17N8TC
Single P-Channel 60 V 0.19 Ohm 9 nC 2.5 mW Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
VishaySI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY Series 60 V 0.12 Ohm 22 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN6066SSD-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 4.4A 8-Pin SOIC T/R
Mosfet, Dual, N-Ch, 60V, 3.3A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN6066SSD-13
60V Dual N-Ch Enhancement MOSFET SOIC8
DiodesZetex NMOS, Vds=60 V, 4.4 A, SOIC, , 8
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 60V, 3.3A;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Resistance66 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time5.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance502 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.14 W
Rds On Max66 mΩ
Resistance66 mΩ
Rise Time2.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14.7 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen