Diodes Inc. DMN4034SSD-13
$ 0.479
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN4034SSD-13 | 1.125 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN4034SSD-13CT-ND | 4.504 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN4034SSD-13 | 0 | 2500 | 23h | ||||||||
| Avnet | DMN4034SSD-13 | 0 | 2500 | 3h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN4034SSD-13 | 0 | 50 | Bulk | 17h |
Bestandsverlauf
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP4025LSS-13
1.52W(Ta) 20V 1.8V@ 250¦ÌA 33.7nC@ 10 V 1P 40V 25m¦¸@ 3A,10V 6A 1.64nF@20V SOIC-8
InfineonIRF7421D1TRPBF
30V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE | Infineon IRF7421D1TRPBF
InfineonIRF7603TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.035Ohm;ID 5.6A;SO-8;PD 1.8W;VGS +/-20V;-55
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN4034SSD-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
DMN4034SSD Series 40 V 34 mOhm Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Mosfet, Dual, N-Ch, 40V, 4.8A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4034SSD-13
2.14W 20V 3V@ 250¦ÌA 18nC@ 10V 2N 40V 34m¦¸@ 6A,10V 4.8A 453pF@20V SOIC-8
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.023 ohm
40V DUAL N-CH ENHANCEMENT MOSFET SOIC8
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 40V, 4.8A;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.8 A
Drain to Source Resistance34 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationDual
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance453 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.14 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.14 W
Rds On Max34 mΩ
Rise Time2.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen